特許
J-GLOBAL ID：200903010499890665

立方晶炭化ケイ素緩衝膜でコーティングされたケイ素(100)基材上に酸化マグネシウム膜を成長させる方法

発明者：
キム、ユン・スー

キム、ユン・スー について

, 
リー、スン・スク

リー、スン・スク について

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リー、スン・ヨン

リー、スン・ヨン について


出願人/特許権者：
コリア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジイ

コリア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジイ について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-518511
公開番号（公開出願番号）：特表2004-506098
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
立方晶炭化ケイ素緩衝膜でコーティングされたケイ素(100)基材上に酸化マグネシウムを成長させる本発明の化学蒸着法は良質な単結晶酸化マグネシウム膜を提供する。
請求項（抜粋）：
化学蒸着法を用いて立方晶炭化ケイ素緩衝膜をケイ素(100)基材上に蒸着した後、前記緩衝膜上に酸化マグネシウム膜を形成することを含む、単結晶酸化マグネシウム膜をケイ素(100)基材上に成長させる方法。
IPC (3件)：
C23C16/42 ,  C30B29/16 ,  H01L21/20
FI (3件)：
C23C16/42 ,  C30B29/16 ,  H01L21/20
Fターム (21件)：
4G077AA03 ,  4G077BB02 ,  4G077DB09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077TC01 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA37 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  5F052KA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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