特許
J-GLOBAL ID:200903010521526824

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大坪 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-340648
公開番号(公開出願番号):特開平10-163164
出願日: 1996年12月04日
公開日(公表日): 1998年06月19日
要約:
【要約】【課題】 エッチング残渣を確実に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板処理装置は、処理槽12と、処理槽12に純水を供給するための純水供給路14と、処理槽12の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバ15と、処理槽12の上部に形成されたオーバフロー部16からオーバフローした純水等を回収するための回収路19と、純水供給路14中を通過する純水中にHF等の薬液を混合するためのミキシングバルブ22と、複数の基板Wを一括して挟持した状態で処理槽12内の純水中に浸漬し、あるいは純水中から引き上げるためのチャック23と、管路28により開閉弁29およびIPA蒸気発生ユニット32を介して窒素ガスの供給源と接続され、密閉チャンバ15内にIPA蒸気を供給するIPA蒸気導入口25とを有する。
請求項(抜粋):
基板をエッチング液中に浸漬してエッチング処理するエッチング工程と、エッチング処理後の基板をリンス液中に浸漬してリンス処理するリンス工程と、リンス処理後の基板をリンス液中から露出させる露出工程とを含む基板処理方法において、少なくとも、基板の上端がリンス液液面の上方に露出する時点から、基板の下端がリンス液液面の上方に露出した後一定時間を経過するまでの間、基板の周囲に有機溶剤の蒸気を供給することを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 351 ,  H01L 21/304 ,  F26B 5/04 ,  H01L 21/306
FI (4件):
H01L 21/304 351 V ,  H01L 21/304 351 C ,  F26B 5/04 ,  H01L 21/306 J
引用特許:
審査官引用 (6件)
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