特許
J-GLOBAL ID：200903010631944842

ポリシリコンの除去を制御するための方法

発明者：
ディサード,ジェフリー

ディサード,ジェフリー について

, 
ジョーンズ,ティモシー

ジョーンズ,ティモシー について

, 
フィーニー,ポール

フィーニー,ポール について


出願人/特許権者：
キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション

キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-534569
公開番号（公開出願番号）：特表2009-510797
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
本発明は、ポリシリコンと、酸化ケイ素及び窒化ケイ素から選択される材料とを含む基材を、研磨材と、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシドコポリマーと、水と、研磨パッドとを含む化学機械研磨系で化学機械研磨する方法に関する。
請求項（抜粋）：
(i)ポリシリコンと、酸化ケイ素及び窒化ケイ素から選択される材料とを含む基材を (a)研磨材と、 (b)液体キャリヤーと、 (c)該液体キャリヤー及びそれに溶解又は懸濁した任意の成分の質量に基づいて1ppm〜1000ppmの、15以下のHLBを有するポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシドコポリマーと、 (d)研磨パッドと を含む化学機械研磨系と接触させる工程、 (ii)該基材に対して該研磨パッドを動かす工程、及び (iii)該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程 を含む、基材を化学機械研磨する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (5件)：
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (6件)：
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM