CMP用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-231167
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049709
出願日： 2004年08月06日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 CMP後における被研磨面のエロージョン(局所的な凹み)を20nm以下に低減し得るスラリーを提供する。【解決手段】研磨粒子と界面活性剤とを含有するCMP用スラリーである。前記界面活性剤は、室温でのHLB値が3〜9の第1のポリエーテル型非イオン界面活性剤と、室温でのHLB値が10〜20の第2のポリエーテル型非イオン界面活性剤とを含むことを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

研磨粒子と界面活性剤とを含有し、前記界面活性剤は、室温でのHLB値が3〜9の第1のポリエーテル型非イオン界面活性剤と、室温でのHLB値が10〜20の第2のポリエーテル型非イオン界面活性剤とを含むことを特徴とするCMP用スラリー。

IPC (3件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 621D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB02 , 3C058DA02 , 3C058DA12

引用特許：

出願人引用 (9件)

CMP用スラリーおよび半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-037179 出願人：株式会社東芝
化学機械研磨用水系分散体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-055349 出願人：ジェイエスアール株式会社
米国特許6270393号

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審査官引用 (1件)

金属用研磨組成物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-092404 出願人：旭化成株式会社

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