特許
J-GLOBAL ID：200903096383413713
バリヤー膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302002
公開番号（公開出願番号）：特開2004-137531
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】スパッタリングによりバリヤー膜を成膜する方法において、異常放電を防止し、良質な膜を効率良く成膜できるようにする。【解決手段】チャンバ1内の一方に基板2が配置され、他方にはマグネトロンカソード3A,3Bが配置されている。このマグネトロンカソード3A,3B上にそれぞれシリコンターゲット4がボンディングされて配置されている。マグネトロンカソード3A,3Bは、冷却水流路、磁石、ターゲット取付プレート等を備えている。カソード3A,3Bにパルス電源6を接続し、酸素とアルゴンの混合ガスを流通させながらカソード3A,3Bに交互にパルス電圧を印加することにより2個のターゲット4,4を交互にスパッタする。反応性スパッタにより、酸化珪素薄膜が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
カソードに設けられたターゲットをスパッタリングすることにより、薄膜表示素子を保護するためのバリヤー膜を成膜する方法において、複数のカソードを配置し、各カソードに交互に間欠的な電圧を印加して成膜することを特徴とするバリヤー膜の成膜方法。
IPC (4件)：
C23C14/34
, G02F1/13
, H05B33/04
, H05B33/14
C23C14/34 S
, G02F1/13 101
, H05B33/04
, H05B33/14 A
2H088FA18
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088HA04
, 2H088MA20
, 3K007AB13
, 3K007DB03
, 3K007FA02
, 4K029AA11
, 4K029AA25
, 4K029BA46
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC35
, 4K029DC39
