特許
J-GLOBAL ID：200903010721272274
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369182
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299462
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタを備える半導体装置において、高速動作制御・記憶容量増大化・IC回路性能安定化等の要求に応える半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板中に直かに埋設されて形成される埋込型キャパシタを備える半導体装置であって、平板状の半導体基板10内に、立体形状で基板面で開口するキャビティー11を配置形成し、このキャビティー11に基板埋設型のキャパシタ構造を具備させてキャパシタ部Aとし、このキャパシタ部Aを含む半導体基体101を具備する半導体装置とした。
請求項（抜粋）：
平板状の半導体基板内に、立体形状のキャビティーを配置形成し、前記キャビティーに基板埋設型のキャパシタ構造を具備させてキャパシタ部とし、このキャパシタ部を含む半導体基体を具備して構成される、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/822
, H01G 4/33
, H01L 27/04
H01L 27/04 C
, H01L 27/04 E
, H01G 4/06 102
5E082AB03
, 5E082BC14
, 5E082EE05
, 5E082EE37
, 5E082FG03
, 5E082FG38
, 5E082FG42
, 5E082KK01
, 5F038AC05
, 5F038AC10
, 5F038EZ20
