磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気ヘッド

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298849
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110164
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】微小な磁気検出素子や磁気メモリセルなどにおいて磁場検出あるいはセルに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁場を低減することができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】磁性積層膜(1)と、強磁性体膜(3)と、前記磁性積層膜と前記強磁性体膜との間に設けられた絶縁膜(2)と、を備え、前記絶縁膜をトンネルして前記磁性積層膜と前記強磁性体膜との間に電流が流れるトンネル接合型の磁気抵抗効果素子であって、前記磁性積層膜は、第1の強磁性体層(1A)と、第2の強磁性体層(1C)と、これら第1及び第2の強磁性体層の間に挿入された反強磁性体層(1B)と、を有する磁気抵抗効果素子を提供する。

請求項（抜粋）：

磁性積層膜と、強磁性体膜と、前記磁性積層膜と前記強磁性体膜との間に設けられた絶縁膜と、を備え、前記絶縁膜をトンネルして前記磁性積層膜と前記強磁性体膜との間に電流が流れるトンネル接合型の磁気抵抗効果素子であって、前記磁性積層膜は、第1の強磁性体層と、第2の強磁性体層と、これら第1及び第2の強磁性体層の間に挿入された反強磁性体層と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01L 27/10 447 , G01R 33/06 R

Fターム (23件)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034CA08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA30 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083PR01 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265663 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-298566 出願人：日本電気株式会社
磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-276238 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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