特許
J-GLOBAL ID：200903010755673561

駆動基板の製造方法および駆動基板

発明者：
神谷 広輔

神谷 広輔 について

, 
輿石 亮

輿石 亮 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-109300
公開番号（公開出願番号）：特開2007-279616
出願日： 2006年04月12日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】絶縁性の保護膜によって十分に駆動回路を保護しつつ、この保護膜上からのレーザ光照射によって配線を損傷させることなく欠陥箇所を除去することが可能な駆動基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に薄膜トランジスタとこれに接続された配線とを用いた駆動回路1aを形成する。駆動回路1aを覆う状態で、基板1上に絶縁性の保護膜21を形成する。この保護膜21は、積層構造からなり、最下層の第1層21aが熱伝導率10[W/m・k]以下の酸化シリコンで構成され、その上部の第2層21bが耐透湿性の高い窒化シリコンで構成される。駆動回路1aの欠陥部分に保護膜21上からレーザ光Lhを照射することにより、レーザ光Lhが照射された位置の保護膜21部分と欠陥部分とを除去するリペア工程を行う。保護膜の上方に、駆動回路1aに接続された画素電極を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜トランジスタとこれに接続された配線とを用いた駆動回路を形成する工程と、 前記駆動回路を覆う状態で、前記基板上に絶縁性の保護膜を形成する工程と、 前記駆動回路の欠陥部分に前記保護膜上からレーザ光を照射することにより、当該レーザ光が照射された位置の当該保護膜部分と当該欠陥部分とを除去するリペア工程とを行う駆動基板の製造方法において、 前記保護膜は、積層構造からなり、最下層が熱伝導率10[W/m・k]以下の材料で構成されている ことを特徴とする駆動基板の製造方法。
IPC (4件)：
G09F 9/00 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  B23K 26/00
FI (6件)：
G09F9/00 338 ,  G09F9/00 352 ,  H01L29/78 612A ,  H01L29/78 619A ,  G02F1/1368 ,  B23K26/00 H
Fターム (41件)：
2H092GA59 ,  2H092HA28 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB42 ,  2H092JB56 ,  2H092JB58 ,  2H092JB69 ,  2H092JB73 ,  2H092KB24 ,  2H092MA07 ,  2H092MA17 ,  2H092MA47 ,  2H092MA52 ,  2H092MA55 ,  2H092NA17 ,  2H092NA29 ,  4E068AC01 ,  4E068CA03 ,  4E068CG05 ,  4E068DA11 ,  5F110AA26 ,  5F110AA27 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ30 ,  5G435AA17 ,  5G435AA19 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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