強誘電体キャパシタ及び強誘電体キャパシタの形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275808
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006593
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】強誘電体キャパシタに関し、強誘電体膜の膜質を良好にすること。【解決手段】絶縁膜10bの上に順に形成されるチタン膜12とイリジウム膜13の積層構造を有する下部電極15aと、下部電極15aの上に形成された強誘電体膜16aと、強誘電体膜16a上に形成された上部電極17aとを含む。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

絶縁膜の上に順に形成されたチタン膜とイリジウム膜の積層構造を有する下部電極と、前記下部電極の上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極とからなる強誘電体キャパシタ。

IPC (1件)：

H01L27/105

FI (1件)：

H01L27/10 444B

Fターム (14件)：

5F083FR02 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体メモリ及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-205799 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-250749 出願人：株式会社日立製作所
誘電体キャパシタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-275296 出願人：ローム株式会社

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