特許
J-GLOBAL ID：200903010824674788

薄膜圧電体素子及びその製造方法

発明者：
遠池 健一

遠池 健一 について

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野口 隆男

野口 隆男 について

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山崎 寛史

山崎 寛史 について

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海野 健

海野 健 について

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宮崎 雅弘

宮崎 雅弘 について

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庄司 茂

庄司 茂 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  阿部 豊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-096674
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286037
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 電極膜に残留する酸化物膜が素子特性の劣化に及ぼす影響を軽減した薄膜圧電体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る薄膜圧電体素子10においては、積層体11を覆う酸化物膜20A,20Bの最外層28A,28Bの主成分がZrO2となっている。このZrO2のヤング率の値(190GPa)は、MgOのヤング率の値(245GPa)に比べて大幅に低い値となっている。そのため、この酸化物膜20A,20Bは、従来の薄膜圧電体素子に残留するMgO薄膜に比べて、圧電体膜16A,16Bの変位量の低減に及ぼす影響が小さい。従って、薄膜圧電体素子10においては、従来の薄膜圧電体素子に比べて、酸化物膜が素子特性の劣化に及ぼす影響が軽減されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一対の電極膜の間に圧電体膜が介在する圧電積層体が、接着剤層を介して複数重なっている積層体を有し、 前記積層体は、1層又は複数層で構成された酸化物膜で覆われており、該酸化物膜の最外層の主成分がZrO2である、薄膜圧電体素子。
IPC (4件)：
H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22
FI (6件)：
H01L41/08 S ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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