特許
J-GLOBAL ID：200903020046359859
電子デバイス用基板及びこれを用いた薄膜圧電体素子、並びに電子デバイス用基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大石 皓一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357742
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164586
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板から強誘電体薄膜にかかる引っ張り応力が簡単な方法によって緩和された電子デバイス用基板を提供する。【解決手段】 半導体基板3上に形成されたエピタキシャル膜である下部電極5と、下部電極5上に形成されたエピタキシャル膜である強誘電体層6と、強誘電体層6上に形成された上部電極7とを備える電子デバイス用基板であって、下部電極5の膜厚が200〜1000nmに設定されている。これにより、半導体基板3から強誘電体薄膜6にかかる引っ張り応力が緩和され、強誘電体薄膜6のcドメインの割合が高くなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたエピタキシャル膜である下部電極と、前記下部電極上に形成されたエピタキシャル膜である強誘電体層と、前記強誘電体層上に形成された上部電極とを備える電子デバイス用基板であって、前記下部電極の膜厚が200〜1000nmであることを特徴とする電子デバイス用基板。
IPC (3件)：
H01L 41/08
, H01L 41/18
, H01L 41/22
H01L 41/08 D
, H01L 41/18 101 Z
, H01L 41/22 Z
