特許
J-GLOBAL ID：200903010898127916
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189423
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080981
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 積層膜を一括してエッチングする場合にも、エッチング形状の局部的な横方向への入り込みや処理基板上への白濁などの無い良好なエッチング形状を得る。【解決手段】 真空容器1内にガス供給装置2によりプロセスガスを導入しつつ真空ポンプ3により排気を行い、所定の圧力に制御した状態で、下部電極5に高周波電力を供給することでプラズマを発生させ、下部電極5上に載置された金属膜を含む積層膜を有する基板6をエッチング処理する時に、エッチング処理中の膜を特定する方法を介しながら、エッチング対象の最下層膜表面までプロセスガスでエッチングを行う工程と、前記最下層膜はプロセスガスにCHF3ガスを添加することで解決できる。
請求項（抜粋）：
真空容器内にプロセスガスを導入しつつ所定の圧力に制御した状態で、金属膜を含む積層膜を有する基板に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記基板を処理するドライエッチング方法において、エッチング対象の最下層膜表面までプロセスガスでエッチングを行う工程と、前記最下層膜は前記プロセスガスにCHF3ガスを添加してエッチング処理を行う工程とを有することを有することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 A
, H01L 21/302 F
4K057DA12
, 4K057DB05
, 4K057DB06
, 4K057DB08
, 4K057DD01
, 4K057DE01
, 4K057DE06
, 4K057DJ02
, 4K057DM03
, 4K057DN01
, 5F004AA08
, 5F004BA04
, 5F004BC03
, 5F004CA02
, 5F004CB02
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA16
, 5F004DB08
, 5F004DB09
, 5F004EA28
