特許

J-GLOBAL ID：200903011281891534

ハイブリッド結晶方位上の歪みシリコンCMOS

発明者： ケビン・ケイ・チャン ,  ブルース・ビー・ドリス ,  キャスリン・ダブリュ・グアリニ ,  メイケイ・レオン ,  シュリーシュ・ナラシムハ ,  アレクサンダー・レズニセク ,  カーン・リム ,  デヴェンドラ・ケイ・サダナ ,  リーゼン・シー ,  ジェフリー・ダブリュ・スライト ,  ミン・ヤング
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-119125
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311367
出願日： 2005年04月18日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 異なる結晶方位を有する基板上に形成された集積半導体デバイスを提供する。 【解決手段】 歪みSi含有ハイブリッド基板を形成する方法、および、この方法によって形成する歪みSi含有ハイブリッド基板を提供する。本発明の方法では、半導体材料、第2の半導体層、またはその双方の上に、歪みSi層を形成する。本発明によれば、歪みSi層は、再成長半導体層または第2の半導体層のいずれかと同じ結晶方位を有する。この方法は、デバイス層の少なくとも1つが歪みSiを含むハイブリッド基板を提供する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

歪みSi含有ハイブリッド基板を製造する方法であって、 第1の結晶方位の第1の半導体層、前記第1の半導体層の表面上に配置した埋め込み絶縁層、前記埋め込み絶縁層上に配置し前記第1の結晶方位とは異なる第2の結晶方位の第2の半導体層を含むハイブリッド基板を設けるステップと、 前記第1の半導体層の表面まで延在する開口を設けるステップと、 半導体材料が前記第1の結晶方位を有し、前記第2の半導体層または前記再成長半導体材料の少なくとも1つの上にあるように歪みSi層が形成されることを条件として、前記開口内で前記第1の半導体層上に半導体材料を再成長させるステップであって、前記Si層が、前記下にある第2の半導体層または前記再成長半導体材料のものと一致する結晶方位を有する、ステップと、 を有する、方法。

IPC (8件)：

H01L21/8238 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

FI (12件)：

H01L27/08 321A ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 301Q ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 301B

Fターム (83件)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA03 ,  5F048BA04 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA20 ,  5F048BD09 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BC13 ,  5F140BC15 ,  5F140CE20 ,  5F152LL03 ,  5F152LL04 ,  5F152LL07 ,  5F152LL12 ,  5F152LM02 ,  5F152LM03 ,  5F152LP01 ,  5F152MM04 ,  5F152MM20 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN06 ,  5F152NN07 ,  5F152NN08 ,  5F152NN11 ,  5F152NN27 ,  5F152NN29 ,  5F152NN30 ,  5F152NP02 ,  5F152NP03 ,  5F152NP04 ,  5F152NP05 ,  5F152NP06 ,  5F152NP07 ,  5F152NP13 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ17

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開平4-372166
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135037   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-160221   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-298533   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-159544   出願人：株式会社日立製作所
• SiGeオンインシュレータ基板材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-274987   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-245048   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-023797   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-053394   出願人：株式会社東芝