特許
J-GLOBAL ID：200903042017903870

半導体装置及びその製造方法

発明者：
臼田 宏治

臼田 宏治 について

, 
高木 信一

高木 信一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-053394
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244020
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 高性能化が要求される論理素子と高品質かつ集積化が求められるメモリー素子とを同一基板上に集積化する技術の実現を図ると共に、更なるコスト低減、工程数削減などに寄与する。【解決手段】 部分SOI構造を有する半導体装置において、半導体基板10上の一部に第1の絶縁層11を介して接着された第1の半導体層12と、基板上10の第1の半導体層12が接着された領域以外に、該半導体層12と同じ高さまで成長形成された第2の半導体層14とを備えた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上の一部に第1の絶縁層を介して接着された第1の半導体層と、 前記基板上の第1の半導体層が接着された領域以外に成長形成された第2の半導体層と、 第1の半導体層の側面に形成され、該層を第2の半導体層と電気的に分離するための第2の絶縁層と、 を具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L27/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (16件)：
H01L27/08 331E ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/12 B ,  H01L21/76 D ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301R ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 681F ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618E
Fターム (84件)：
5F032AA06 ,  5F032AA82 ,  5F032BA06 ,  5F032CA05 ,  5F032CA06 ,  5F032CA09 ,  5F032CA10 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA12 ,  5F032DA13 ,  5F032DA71 ,  5F048AA03 ,  5F048AA08 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA02 ,  5F048BA09 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BC16 ,  5F048BD09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF15 ,  5F048BG13 ,  5F083GA03 ,  5F083GA23 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA36 ,  5F083NA01 ,  5F083PR25 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F110AA04 ,  5F110BB03 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD30 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA17 ,  5F140AA21 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AC28 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BC13
引用特許：
審査官引用 (12件)
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