特許
J-GLOBAL ID：200903011385044361

半導体装置及びその製造方法

発明者：
伊藤 信哉

伊藤 信哉 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335836
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164704
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、エッチング停止膜を貫通し、層間を電気的に接合する金属接続孔構造または埋め込み金属配線構造を有する半導体装置において、フォトリソグラフィー工程の増加を抑えた簡便な方法により、水素拡散経路を確保した半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 図1(a)に示すように、下部層に接して下部層の上部に水素バリア性を有する膜4を形成し、この水素バリア性を有する膜4接して層間絶縁膜6を形成した後、層間絶縁膜及び水素バリア性を有する膜の両方を貫通する形で、開口18を形成する。この開口は、その後の工程で、接続孔となるべき孔であっても、また、金属埋込配線になるべき溝であってもよい。次に図1(b)に示すように、少なくとも、この開口を形成する際に露出する水素バリア性を有する膜の端面19を水素拡散膜で被覆し、その後に導電性材料で埋める。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の下部に接して形成されている水素バリア性を有する膜と、前記層間絶縁膜及び前記水素バリア性を有する膜の両方を貫通するように形成された開口を導電性材料で埋めた構造を有する半導体装置であって、少なくとも、前記開口を形成する際に露出する水素バリア性を有する膜の端面と、その後工程で前記開口を導電性材料を埋めた構造の側壁との間に水素拡散膜が形成されており、該水素拡散膜により、前記水素バリア性を有する膜の下部への水素拡散経路が確保されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/76
FI (4件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 21/76 L
Fターム (58件)：
4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD10 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104EE01 ,  4M104EE12 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104FF22 ,  4M104FF24 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK19 ,  5F033MM01 ,  5F033MM10 ,  5F033NN01 ,  5F033NN05 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033TT01 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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