特許
J-GLOBAL ID:200903011626988552

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森 幸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-001537
公開番号(公開出願番号):特開2007-184411
出願日: 2006年01月06日
公開日(公表日): 2007年07月19日
要約:
【課題】銀を主成分とする電極を形成する場合に、銀のマイグレーションを実質的に完全に防止することができ、耐環境性に優れた安定で高性能な電極を得ることができ、このため高性能で長寿命かつ高信頼性の発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】発光波長の光に対して透明な基板1上にn型窒化物系III-V族化合物半導体層2、活性層3およびp型窒化物系III-V族化合物半導体層4を順次成長させ、p型窒化物系III-V族化合物半導体層4上にAgを主成分とする第1の金属膜6を形成し、この第1の金属膜6を覆うようにPdおよび/またはPtを主成分とする第2の金属膜7を形成してp側電極8を形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の導電型の第1の半導体層と、 上記第1の半導体層上の活性層と、 上記活性層上の第2の導電型の第2の半導体層と、 上記第1の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、 上記第2の半導体層上の、所定形状を有し、銀を主成分とする第1の金属膜とこの第1の金属膜を覆い、パラジウムおよび/または白金を主成分とする第2の金属膜とを含み、上記第2の半導体層と電気的に接続された第2の電極と を有することを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (4件):
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R
Fターム (30件):
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  5F041AA03 ,  5F041AA07 ,  5F041AA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA86 ,  5F041DA14 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F041FF11 ,  5F041FF16
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 発光半導体の方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-071027   出願人:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
審査官引用 (11件)
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