特許

J-GLOBAL ID：200903011800003757

半導体装置及びその製造方法

発明者： 村松 茂次 ,  経塚 正宏
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-198362
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019651
出願日： 2004年07月05日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】実装基板と半導体チップとの隙間にボイドが発生しないようにアンダーフィル樹脂を充填する。【解決手段】 研磨機を用いて実装基板16上に形成されたソルダレジスト20の表面20aを研磨して表面凹凸部分を除去する。そのため、ソルダレジスト20の表面20aは、見かけ上平坦化されており、アンダーフィル樹脂22が流れやすくなり、アンダーフィル樹脂22の充填速度が表面凹凸部分によって変化することが防止される。研磨されたソルダレジスト20の表面20aには、例えば、微細な複数の溝からなる直線状の研磨痕44が形成される。この微細な研磨痕44は、アンダーフィル樹脂22を充填する際にアンダーフィル樹脂22の流れ方向を規制することによりボイドの発生を防止する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

実装基板の表面に樹脂保護膜を形成する第1工程と、 前記樹脂保護膜の表面を研磨して前記実装基板の配線パターンに応じて形成される前記樹脂保護膜の表面凹凸部分を除去する第2工程と、 前記実装基板上の電極パッドに半導体部品の下面に配置されたバンプを接続する第3工程と、 前記樹脂保護膜と前記半導体部品との間にアンダーフィル樹脂を充填して前記半導体部品を前記実装基板上に実装する第4工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/56 E ,  H01L21/60 311Q

Fターム (5件)：

5F044LL01 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061CA04 ,  5F061CB12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-324125   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

審査官引用 (4件)

• プリント配線板とその製造方法および電子部品の実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324721   出願人：松下電器産業株式会社
• 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-141582   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 電子部品用材料およびその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-106783   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-202690   出願人：日本電気株式会社