特許
J-GLOBAL ID：200903011881551338
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149161
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223900
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 ゲート配線等を形成する際に金属膜の表面状態の劣化等を防止する。【解決手段】 半導体基板11上にゲート絶縁膜15を形成する工程と、ゲート絶縁膜15上に金属膜18を有するゲート配線構成用の配線膜を形成する工程と、金属膜18を該金属膜が酸化されやすい雰囲気にさらす工程と、金属膜18を酸化されやすい雰囲気にさらす工程で金属膜18の表面に形成された酸化膜を還元性雰囲気中で還元する工程と、還元工程で還元された金属膜18の表面に保護膜20を形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面側に形成された金属膜を該金属膜が酸化されやすい雰囲気にさらす工程と、前記金属膜を酸化されやすい雰囲気にさらす工程で前記金属膜の表面に形成された酸化膜を還元性雰囲気中で還元する工程と、前記還元工程で還元された前記金属膜の表面に保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/3205
, H01L 29/43
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/88 M
, H01L 29/62 G
