特許
J-GLOBAL ID：200903011915008817
半導体装置、積層型半導体装置およびそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-220400
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063804
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】信頼性が高く、高密度実装が可能な半導体装置を低コストで安定して作製する。【解決手段】電極パッド2と外部との電気的接続を行う2次配線3を、半導体チップ1の集積回路形成面から側面まで延在して形成する。これによって、半導体チップと保護膜との積層界面から2次配線の側面が露出している従来の半導体装置のように、半導体ウェハから半導体チップに分割する際に、チッピング、ダイシングブレードの破損などが発生せず、2次配線のヒゲ、ダレなどが発生しない。また、2次配線に数十μmもの厚みを必要としないため、配線形成時間を短縮化することができ、材料面で低コスト化を図ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
集積回路、該集積回路と外部との信号の入出力を行う複数の電極パッド、および該集積回路と該電極パッドとの間を電気的に接続する1次配線が同じ表面側に設けられた半導体チップと、
該半導体チップの集積回路形成面から側面まで延在して設けられ、該電極パッドと外部とを電気的に接続する2次配線とを具備する半導体装置。
IPC (6件)：
H01L25/065
, H01L21/301
, H01L21/3205
, H01L21/50
, H01L25/07
, H01L25/18
H01L25/08 Z
, H01L21/50 C
, H01L21/78 L
, H01L21/88 T
5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH23
, 5F033MM08
, 5F033PP27
, 5F033VV07
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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