特許
J-GLOBAL ID：200903012031672426
半導体ウエハ収納容器内へのドライエアまたは窒素ガス充填装置並びに該装置を用いたウエハ静電除去装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
後田 春紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-046626
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227619
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】半導体ウエハ収納容器の蓋を開けることなく、該半導体ウエハ収納容器内のケミカルガスを除去すると共に、酸の発生を阻止する。【解決手段】半導体ウエハ9を収納した半導体ウエハ収納容器1の底板5に複数個設けられた呼吸口8のうち、供給側の呼吸口8aと排出側の呼吸口8bに連結固定するドライエアまたは窒素ガス充填装置Aにおいて、前記各呼吸口8a・8bは、PTFEフィルター7を備えて形成され、且つ前記充填装置Aは、半導体ウエハ収納容器1内にドライエアまたは窒素ガスを供給するドライエア・窒素ガス供給部11と、半導体ウエハ収納容器1内に供給されたドライエアまたは窒素ガスにより、半導体ウエハ収納容器1内のケミカルガスを除去すると共に、水分を除去により半導体ウエハ表面の酸の発生を阻止した後のドライエアまたは窒素ガスを排出する使用済ドライエア・窒素ガス排出部12とにより構成される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを収納した半導体ウエハ収納容器の底板に複数個設けられた呼吸口のうち、供給側の呼吸口と排出側の呼吸口に連結固定し、半導体ウエハ収納容器内へのドライエアまたは窒素ガスを充填する充填装置であって、
前記各呼吸口は、PTFEフィルターを備えて形成され、
前記充填装置は、前記半導体ウエハ収納容器内にドライエアまたは窒素ガスを供給するドライエア・窒素ガス供給部と、前記半導体ウエハ収納容器内に供給されたドライエアまたは窒素ガスにより、前記半導体ウエハ収納容器内のケミカルガスを除去すると共に、水分を除去して半導体ウエハ表面の酸の発生を阻止した後の使用済ドライエアまたは窒素ガスを排出する使用済ドライエア・窒素ガス排出部とにより構成され、
前記ドライエア・窒素ガス供給部は、供給ノズルを備えた供給側の中空容器に連結されると共に、該中空容器の供給ノズルが前記供給側の呼吸口に密に連結固定して形成され、
前記使用済ドライエア・窒素ガス排出部は、排出ノズルを備えた排出側の中空容器に、前記使用済ドライエアまたは窒素ガスを排出する排出口を開口すると共に、該中空容器の排出ノズルが前記排出側の呼吸口に密に連結固定して形成され、
前記供給側の中空容器内に供給されたドライエアまたは窒素ガスは、前記PTFEフィルターによって、塵を除去されて、前記半導体ウエハ収納容器内にドライエア流または窒素ガス流として流入して半導体ウエハ収納容器内のケミカルガスを除去すると共に、水分を除去して半導体ウエハ表面の酸の発生を阻止する一方、
前記半導体ウエハ収納容器内のケミカルガスを除去すると共に、水分を除去して半導体ウエハ表面の酸の発生を阻止した後の使用済ドライエアまたは窒素ガスを排出側の呼吸口のPTFEフィルターを介して、排出側の中空容器に排出し、更に排出口より外部へ排出することを特徴とする半導体ウエハ収納容器内へのドライエアまたは窒素ガス充填装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/68 A
, B65D85/38 R
, B65D85/38 S
3E096AA06
, 3E096BA16
, 3E096BB04
, 3E096CA02
, 3E096CB03
, 3E096DA18
, 3E096DA26
, 3E096FA01
, 3E096FA02
, 3E096FA03
, 3E096FA07
, 3E096GA20
, 5F031CA02
, 5F031DA08
, 5F031EA14
, 5F031EA18
, 5F031NA03
, 5F031NA04
, 5F031NA15
, 5F031NA16
, 5F031PA21
