特許
J-GLOBAL ID:200903012153062360
導電性回路装置およびその作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-042866
公開番号(公開出願番号):特開2005-236006
出願日: 2004年02月19日
公開日(公表日): 2005年09月02日
要約:
【課題】ファインパターンの形成が可能で、生産工程を簡素化することができ、環境負荷を著しく軽減することができ、ファインパターンの欠落などを起こさず、高速かつ連続して製造できる導電性回路装置とその作製方法を提供する。【解決手段】絶縁性基体1の表面に、所定のパターンで凹溝2形成し、この凹溝2内に、平均粒径1〜300nmの金属微粒子層を形成し、さらにその上に金属めっき層を、形成する。金属微粒子層は、金属保護コロイドの塗布により形成される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
表面に所定のパターンで凹溝の形成された絶縁性基体と、
前記絶縁性基体の凹溝内に付着された平均粒径1〜300nmの金属微粒子層と前記金属微粒子層上に形成された金属めっき層とから構成される導体パターンとを有することを特徴とする導電性回路装置。
IPC (3件):
H05K3/10
, H01L23/12
, H05K3/24
FI (3件):
H05K3/10 E
, H05K3/24 A
, H01L23/12 Q
Fターム (7件):
5E343BB02
, 5E343BB78
, 5E343CC71
, 5E343EE32
, 5E343EE33
, 5E343GG08
, 5E343GG20
引用特許:
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