特許

J-GLOBAL ID：200903012249213644

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 原 敏之
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-214306
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049218
出願日： 2007年08月21日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】応力に起因して生じる半導体チップ及び半導体チップを搭載する基板の歪みを抑制することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置100は、基板1と、基板1上に搭載された半導体チップ3と、基板1と半導体チップ3との間に充填された第1の樹脂4aと、基板1上に形成され、半導体チップ3の側面から基板1の外縁部方向に延在する第2の樹脂4bとを有する。第1の樹脂4aと半導体チップ3との接触面に生じる第1の応力と、第1の樹脂4a及び第2の樹脂4bと基板1との接触面に生じる第2の応力とがつりあうように、第2の樹脂4bが、半導体チップ3側面の延長線と基板1との交点から基板1の外縁部方向に延在している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に搭載された半導体チップと、 前記基板と前記半導体チップとの間に充填された第1の樹脂と、 前記基板上に形成され、前記半導体チップの側面から前記基板の外縁部方向に延在する第2の樹脂とを有する半導体装置であって、 前記第1の樹脂と前記半導体チップとの接触面に生じる第1の応力と、 前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂と前記基板との接触面に生じる第2の応力とがつりあうように、 前記第2の樹脂が、前記半導体チップ側面の延長線と前記基板との交点から前記基板の外縁部方向に延在することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/56

FI (3件)：

H01L23/30 B ,  H01L23/12 501B ,  H01L21/56 T

Fターム (8件)：

4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA01 ,  4M109EE01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-411921   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-313901   出願人：日本電気株式会社
• 半導体パッケージの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124451   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238821   出願人：日本電装株式会社
• 樹脂封止半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-277470   出願人：株式会社デンソー