特許
J-GLOBAL ID：200903012289868902

GaN系半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
琵琶 剛志

琵琶 剛志 について

, 
奥山 浩之

奥山 浩之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-264935
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080996
出願日： 2005年09月13日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】高い動作電流密度での駆動における高発光効率を達成し、同時に、動作電圧の大幅な低減を実現し得る構造を有するGaN系半導体発光素子を提供する。【解決手段】GaN系半導体発光素子は、(A)n型の導電型を有する第1GaN系化合物半導体層13、(B)活性層15、及び、(C)p型の導電型を有する第2GaN系化合物半導体層18を備え、更に、(D)第1GaN系化合物半導体層13と活性層15との間に形成されたGaN系化合物半導体から成る下地層21、及び、(E)活性層15と第2GaN系化合物半導体層18との間に形成され、GaN系化合物半導体から成り、p型ドーパントを含有する超格子構造層22を備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)n型の導電型を有する第1GaN系化合物半導体層、 (B)活性層、及び、 (C)p型の導電型を有する第2GaN系化合物半導体層、 を備え、更に、 (D)第1GaN系化合物半導体層と活性層との間に形成されたGaN系化合物半導体から成る下地層、及び、 (E)活性層と第2GaN系化合物半導体層との間に形成され、GaN系化合物半導体から成り、p型ドーパントを含有する超格子構造層、 を備えていることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (15件)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA77 ,  5F041DA78 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6635904 B2
審査官引用 (6件)
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