特許
J-GLOBAL ID：200903093585829661

半導体発光素子

発明者：
田中 治夫

田中 治夫 について

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園部 雅之

園部 雅之 について

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名倉 孝昭

名倉 孝昭 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 今下 勝博 ,  岡田 賢治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-344536
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179428
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】従来の可視光の半導体発光素子は、InGaNからなる活性層をAlGaNからなるクラッド層ではさんだダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体で構成していた。しかし、活性層の結晶性が悪いために大きな発光出力を得ることができなかった。本発明は、半導体発光素子の井戸層の結晶性を改善することにより、大きな発光出力を得ることを目的とする【解決手段】本発明は、p型AlxGa1-xNからなる層と、n型AlyGa1-yNからなる層とではさまれた層を多重井戸構造、あるいはSCH(Separate Confinement Heterostructure)構造とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
p型AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる層と、n型AlyGa1-yN(0≦y≦1)からなる層とではさまれた多重井戸層が、 InqGa1-qN(0<q≦1)からなる井戸層と、該井戸層に隣接するInrGa1-rN(0≦r<1)からなる障壁層であって隣接する井戸層との間ではr<qの関係になる障壁層とが交互に複数積層された層を含み、 主に、前記p型AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる層に近い井戸層で電子と正孔を再結合させて発光させる半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S5/343 ,  H01L33/00
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA60 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (10件)
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