有機薄膜トランジスタの製造方法及び、それにより製造された有機薄膜トランジスタと有機薄膜トランジスタシート

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-131224
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031933
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】より簡便にソース電極やドレイン電極の高精度のパターニングが可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供し、それにより有機TFTを安価に提供する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極から選ばれる少なくとも1つを、平均粒径50nm以下の金属微粒子群から実質的になる層を熱融着して形成する有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極及びドレイン電極から選ばれる少なくとも1つを、平均粒径50nm以下の金属微粒子群から実質的になる層(金属微粒子層)を熱融着して形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L29/786 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L21/288 Z , H01L29/78 616K , H01L29/78 627C , H01L29/28

Fターム (64件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104DD51 , 4M104DD61 , 4M104DD62 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH16 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG54 , 5F110GG55 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK31 , 5F110HK32 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (9件)

金属薄膜の形成方法及び反射型液晶表示装置用反射板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-047911 出願人：日本ペイント株式会社
有機発光ダイオ-ドとモノリシックに集積化された薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-148990 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
液晶表示素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134093 出願人：株式会社日立製作所

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