特許
J-GLOBAL ID：200903012599665114
積層型ガスセンサ素子の製造方法及び積層型ガスセンサ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089407
公開番号（公開出願番号）：特開2002-286680
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 未焼成固体電解質層を挟むように未焼成保護層と未焼成基体とを積層した未焼成積層体を同時焼成し、素子自体に反りが殆ど生じることのない積層型ガスセンサ素子を効率良く得る製造方法を提供する。【解決手段】 一対の電極パターン14a,14b,が形成される固体電解質層となる未焼成固体電解質層15を、セラミック基体となる未焼成基体11を積層し、真球状の昇華性粉末を含有する多孔質保護層となる未焼成保護層17を、未焼成固体電解質層に形成される未焼成電極パターン14a,14bの少なくとも一方を覆うように積層して未焼成積層体を形成した後、この未焼成積層体を同時焼成する。性粉末を用いることで、各部焼成温度に対する未焼成保護層17と未焼成基体11との焼結挙動と焼成収縮率とを略等しいものとすることができる。その結果、多孔質保護層17の機能を損なわず、反りの発生を抑制した積層型ガスセンサ素子を製造効率良く得ることができる。
請求項（抜粋）：
一対の電極を配設した固体電解質層と、この電極の少なくとも一方を覆う多孔質保護層と、この多孔質保護層を構成する主体のセラミック成分と同種のセラミック成分を主体に構成されると共に、上記多孔質保護層と上記固体電解質層を挟んで対向するセラミック基体とを少なくとも積層してなる積層型ガスセンサ素子の製造方法であって、上記電極となる一対の電極パターンが形成される上記固体電解質層となる未焼成固体電解質層を、上記セラミック基体となる未焼成基体に積層する第1工程と、真球状の昇華性粉末を含有する上記多孔質保護層となる未焼成保護層を、上記未焼成固体電解質層を挟んで上記未焼成基体と対向するように、かつ上記未焼成固体電解質層に形成される上記未焼成電極パターンの少なくとも一方を覆うように積層することで、未焼成積層体を形成する第2工程と、この未焼成積層体を同時焼成する第3工程と、を備えることを特徴とする積層型ガスセンサ素子の製造方法。
Fターム (4件)：
2G004BB04
, 2G004BE19
, 2G004BF01
, 2G004BM07
