半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-239649
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059982
出願日： 2004年08月19日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】低電気抵抗化および高信頼性化可能なコンタクトを備え、高速伝送が可能で信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】コンタクト20、23を、CVD法を用いて、シリサイド膜19、22、シリコン窒化膜15aおよび第1層間絶縁膜15bの内壁に接する表面に、表面からコンタクト内部方向への距離に応じて窒素含有量が減少する組成勾配を有する窒化タングステン部24を形成し、その内側にタングステンが充填されたタングステン部25を形成する。窒化タングステン部24とタングステン部25との界面の酸化や汚染を防止する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電体と、前記第1の導電体を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に配設された第2の導電体と、前記絶縁膜を貫通し、第1の導電体と第2の導電体とを電気的に接続するコンタクトと、を備え、前記コンタクトは、前記第1の導電体および絶縁膜に接する表面に形成された窒化タングステン部と、該窒化タングステン部の内側に形成されたタングステン部からなり、前記窒化タングステン部の表面からタングステン部に亘って、該表面から離れるにしたがって窒素含有量がほぼ連続的に減少してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 , H01L 29/417 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L21/90 C , H01L21/285 C , H01L29/50 M , H01L21/88 M , H01L29/78 301Y , H01L29/78 301P

Fターム (119件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB33 , 4M104BB38 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD63 , 4M104DD64 , 4M104DD78 , 4M104EE12 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F033HH11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK30 , 5F033LL09 , 5F033MM02 , 5F033NN02 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN08 , 5F033PP06 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS04 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033WW10 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH35 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ13 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK25 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC10 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC15 , 5F140CC16 , 5F140CE07 , 5F140CF05 , 5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-201352 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-011287 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

窒化タングステン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-323696 出願人：株式会社日立製作所
n型SiC用オーミック電極とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-088069 出願人：新日本製鐵株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-199452 出願人：株式会社荏原製作所

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