特許
J-GLOBAL ID：200903073902440111
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023988
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 化学気相蒸着(CVD)によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地の拡散抑制(バリヤ)層と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 拡散抑制(バリヤ)層2に近接して配線層4を有する構造を内部に持つ半導体装置に於いて、拡散抑制(バリヤ)層2との接合部に拡散抑制(バリヤ)層2の構成元素の全て又は一部と配線層4の構成元素の全て又は一部とが、一定の又は位置によって零から特定の有限値までの範囲で変化する比率で、互いに組合わされることによって生じた薄い中間層3が介在している。
請求項（抜粋）：
拡散抑制(バリヤ)層に近接して配線層を有する構造を内部に持つ半導体装置に於いて、該拡散抑制(バリヤ)層との接合部に該拡散抑制(バリヤ)層の構成元素の全て又は一部と配線層の構成元素の全て又は一部とが、一定の又は位置によって零から特定の有限値までの範囲で変化する比率で、互いに組合わされることによって生じた薄い中間層が介在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 M
, H01L 21/28 301 R
4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB25
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104FF16
, 4M104HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH27
, 5F033HH28
, 5F033HH30
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP01
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ98
, 5F033XX13
