特許
J-GLOBAL ID：200903012704410771

共面電気接続接触を含む垂直共振器レーザダイオード

発明者：
ヴィピーエウスキー, トーステン

ヴィピーエウスキー, トーステン について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-567095
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526952
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：
【要約】垂直共振器レーザダイオードおよびこれを製作する方法が記載される。この方法では、電気接続接触(7、8)は、レーザダイオードの、例えば、出光側等、共通の主要面上に設けられ得る。この目的のために、製作方法の経過において、接触生成領域(6)は、不純物原子の内方拡散によって生成される。この不純物原子の内方拡散を用いて、主要面から離れたpn接合側の領域が導電性で主要面に接続され得、対応する接続接触(8)が提供され得る。
請求項（抜粋）：
垂直共振器レーザダイオードであって、 pn接合を有し、レーザ放射を生成するために利用される活性層シーケンス(3)は、第1のブラッグ反射層シーケンス(2)と第2のブラッグ反射層シーケンス(4)との間に設けられ、これらのシーケンスの各々は、複数のミラーの対を有し、 該2つのブラッグ反射層シーケンス(2、4)は、レーザ共振器を形成し、 該2つのブラッグ反射層シーケンス(2、4)および該活性層シーケンス(3)は、2つの互いに絶縁された、電気接続接触(7、8)間の電流経路に設けられ、該2つの電気接続接触は、レーザダイオードの同一の主要面に付与され、この場合、 第1の電気接続接触(7)は、該主要面に面する該ブラッグ反射層シーケンス(4)に接続され、 第2の電気接続接触(8)は、該主要面から、少なくとも該pn接合まで広がる、比較的高い導電性の接触生成領域(6)によって、該主要面から離れた該ブラッグ反射層シーケンス(2)に接続され、 該接触生成領域(6)は、絶縁領域(5)によって、該主要面に面する、該ブラッグ反射層(4)から、および該活性層シーケンス(3)から電気的に絶縁される、垂直共振器レーザダイオード。
Fターム (7件)：
5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA21
引用特許：
審査官引用 (14件)
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