ドライエッチング用マスク材

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：鈴木正次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224248
公開番号（公開出願番号）：特開2002-038285
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 TMR膜を構成するNiFeやCoFeのように数nm程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、TMR素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。【解決手段】一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料において、当該材料が窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属(タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウムのいずれか)からなることを特徴とするドライエッチング用マスク材によって課題を解決した。

請求項（抜粋）：

一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料において、当該材料が窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属からなることを特徴とするドライエッチング用マスク材。

IPC (3件)：

C23F 4/00 , G11B 5/39 , H01L 21/302

FI (3件)：

C23F 4/00 A , G11B 5/39 , H01L 21/302 Z

Fターム (30件)：

4K057DA13 , 4K057DB01 , 4K057DB02 , 4K057DB03 , 4K057DB08 , 4K057DB15 , 4K057DC10 , 4K057DD03 , 4K057DE20 , 4K057DG07 , 4K057DM03 , 4K057DM24 , 4K057DM28 , 4K057DN01 , 5D034BA02 , 5D034BA03 , 5D034DA05 , 5D034DA07 , 5F004AA04 , 5F004BA04 , 5F004BA13 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004DA18 , 5F004DB08 , 5F004DB14 , 5F004DB29 , 5F004EA05 , 5F004EB07

引用特許：

審査官引用 (5件)

ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-055687 出願人：科学技術庁金属材料技術研究所長
薄膜装置の製造方法、この方法により製造された磁気抵抗効果型ヘッドおよびこのヘッドを搭載した磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-374772 出願人：株式会社東芝
独立電極の数が少ない半導体光増幅器に基づく光学部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-330913 出願人：アルカテル

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