特許
J-GLOBAL ID：200903012837285961

強誘電体薄膜装置

発明者：
竹内 孝之

竹内 孝之 について

, 
長尾 宣明

長尾 宣明 について

, 
飯島 賢二

飯島 賢二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208475
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078735
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体薄膜より成る薄膜デバイスにおいて、強誘電体薄膜の特性を損なうことなくデバイス化された強誘電体薄膜装置を得る。【構成】 Si基板11上に(001)単結晶MgO薄板(厚さ50μm)を接着し、その上に下部電極としてPt薄膜13(厚さ200nm)をスパッタリング法により形成する。強誘電体薄膜としてPLT(Pb1-x Lax Ti1-x/4O3 ;x=0.1)c軸配向薄膜14(厚さ1μm)を高周波スパッタリング法により形成し、再びスパッタリング法により上部電極のPt薄膜15(厚さ200nm)を、保護膜としてポリイミド膜16(厚さ3μm)をそれぞれ形成する。MgO薄板をエッチングにより取り除き、強誘電体薄膜の基板側の面の少なくとも一部と基板との間に空間を設け強誘電体薄膜装置を作製する。
請求項（抜粋）：
基板とその基板上に設けられた一対の電極、及び前記電極間に存在する強誘電体薄膜を少なくとも備えた強誘電体薄膜装置において、前記基板上に作製した強誘電体薄膜の基板側の面の少なくとも一部と基板との間に空間を設けたことを特徴とする強誘電体薄膜装置。
IPC (6件)：
H01L 37/02 ,  G01J 5/00 ,  H01L 41/08 ,  H03H 1/00 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/25
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 赤外線検出器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-267202   出願人：ティーディーケイ株式会社
  • 赤外線検出器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-190623   出願人：ティーディーケイ株式会社
  • 特開昭62-211520
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