特許
J-GLOBAL ID：200903012851007656
炭素膜形成方法並びにその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩谷 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314895
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149838
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課 題】本発明は、例えば工具、摺動部品、精密・電子機器部品等のみならず、柔軟性のある有機材料系基材等の種々の基材に対して高い密着性を有する炭素膜の形成方法並びその装置、そしてこの方法を用いて得られる炭素膜及びその炭素膜を被覆された製造物の提供を目的とする。【解決手段】真空減圧下で炭素膜を基材上に気相成長させる方法であって、蒸発炭素質材料を基材表面に付着させる際に、ガスクラスターイオンとモノマーイオンの混合イオンビームを連続的又は断続的に照射することを特徴とする炭素膜形成方法並びにその方法を実施するための装置。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
真空減圧下で炭素膜を基材上に気相成長させる方法であって、蒸発炭素質材料を基材表面に付着させる際に、ガスクラスターイオンとモノマーイオンの混合イオンビームを連続的又は断続的に照射することを特徴とする炭素膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/32 G
, C23C14/06 F
4K029AA11
, 4K029BA34
, 4K029BC00
, 4K029BD00
, 4K029BD03
, 4K029BD04
, 4K029BD05
, 4K029CA07
, 4K029CA09
, 4K029CA11
, 4K029DA04
, 4K029DB01
, 4K029DB02
, 4K029DB07
, 4K029DD03
, 4K029DE02
, 4K029EA05
