特許
J-GLOBAL ID：200903012854037106

窒化物系半導体素子およびその製造方法

発明者：
畑 雅幸

畑 雅幸 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312559
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124575
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 単結晶の窒化物系半導体層上にその窒化物系半導体層よりも大きな格子定数を有し、かつ、良好な結晶性を有する能動素子領域が形成された窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上に、バッファ層2、アンドープGaN層3、n-GaNコンタクト層4、n-GaInN第2クラッド層5、n-GaInN第1クラッド層6、GaInN発光層7、p-GaInN第1クラッド層8、GaInNとGaNとの多層膜からなるp-第2クラッド層9およびキャップ層10が順に積層されてなる。n-GaInN第2クラッド層5は、非単結晶状態のn-GaInNからなる。これ以外の各層2〜4,6〜10は単結晶状態の窒化物系半導体からなる。
請求項（抜粋）：
単結晶の窒化物系半導体からなる第1の層と、前記第1の層の格子定数よりも大きい格子定数を有する単結晶窒化物系半導体を含む能動素子領域とがこの順で形成された窒化物系半導体素子であって、前記第1の層と前記能動素子領域との間に、少なくとも一部が非単結晶の窒化物系半導体からなる第2の層が形成されたことを特徴とする窒化物系半導体素子。
Fターム (7件)：
5F073AA04 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CB21 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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