特許
J-GLOBAL ID：200903067380003301

発光素子

発明者：
森田 大介

森田 大介 について

, 
山田 元量

山田 元量 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353833
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237457
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 Inを含む窒化物半導体からなる活性層を有する発光素子、特に長波長(550nm以上)の光を発光する発光素子の発光出力を向上させる。【解決手段】 n型半導体層とp型半導体層の間に活性層が形成された発光素子であって、活性層は、Inを含むInx1Ga1-x1N(x1>0)からなる井戸層と、その井戸層上に形成されるAlを含むAly2Ga1-y2N(y2>0)からなる第1障壁層とを含む。
請求項（抜粋）：
n型半導体層とp型半導体層の間に活性層が形成された発光素子であって、前記活性層は、Inを含むInx1Ga1-x1N(x1>0)からなる井戸層と、前記井戸層上に形成されるAlを含むAly2Ga1-y2N(y2>0)からなる第1障壁層とを含むことを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
Fターム (14件)：
5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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