特許
J-GLOBAL ID：200903052889708285

半導体装置及びその製造方法

発明者：
黒澤 哲也

黒澤 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-303377
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140179
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】抗折強度を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】半導体チップ21の側面21-1〜21-4と裏面21Aとが交わる部分の所定の位置に、曲率半径が0.5μm〜50μmの曲面22-1〜22-4を備えることを特徴としている。半導体チップの裏面側のエッジを曲面にしたので、クラックの起点となるチッピングを除去するとともに、応力が集中するのを抑制でき、抗折強度(曲げ強度)を向上できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上に半導体素子が形成され、前記半導体基板において、その側面と前記主表面に対応する位置にある裏面とが交わる部分の所定の位置に、曲率半径が0.5μm〜50μmの曲面を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/02 ,  H01L21/301
FI (3件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q
Fターム (2件)：
3C049AA02 ,  3C049CA01
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM