特許
J-GLOBAL ID：200903021357348008
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-055369
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245082
出願日： 2005年03月01日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 チャージバランスをよくすることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置1は、n型の第1半導体領域9とp型の第2半導体領域11とが交互に並ぶスーパージャンクション構造を有する縦型のパワーMOSFETである。トレンチ13はその底面17から遠ざかるに従い幅が大きくされている。トレンチ13には、エピタキシャル層であるp型の第2半導体領域11が形成されている。第2半導体領域11は、不純物濃度が高い外側部19と低い内側部21とで構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に配置された第1導電型の単結晶半導体層に、複数のトレンチを設けることにより、前記表面と平行な方向に沿って間隔を設けて形成された第1導電型の複数の第1半導体領域と、
前記複数のトレンチにエピタキシャル層を埋め込むことにより形成された第2導電型の複数の第2半導体領域と、を備え、
前記複数の第2半導体領域は、
前記トレンチの内壁に接して形成された不純物濃度の高い外側部と、
前記外側部の内側に形成された不純物濃度の低い内側部と、を含む
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
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半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-314999
出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
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電力用半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-279463
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (6件)
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