特許
J-GLOBAL ID:200903026394389840
研磨液組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
細田 芳徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-122600
公開番号(公開出願番号):特開2001-303050
出願日: 2000年04月24日
公開日(公表日): 2001年10月31日
要約:
【要約】【課題】絶縁層と金属層を有する被研磨表面において、金属膜の研磨速度を維持し、エッチング速度を抑制し、金属配線層のディッシング等の防止効果に優れた研磨液組成物、研磨方法、及び半導体基板の製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨する研磨液組成物であって、下記一般式(I):【化1】〔式中、R1 は炭素数4〜18の直鎖又は分岐鎖アルキル基、直鎖又は分岐鎖アルケニル基、炭素数6〜18のアリール基、炭素数7〜18のアラルキル基を表し、R2 及びR3 はそれぞれ同一であっても又は異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜8の直鎖又は分岐鎖アルキル基又はH-(OR4 )n -基(R4 は炭素数1〜3の直鎖アルキレン基又は炭素数3の分岐鎖アルキレン基を表わし、nは1〜20である)を表わす〕で表わされるアミン化合物及び/又はその塩とエッチング剤と水とを含有する研磨液組成物。
請求項(抜粋):
絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨する研磨液組成物であって、下記一般式(I):【化1】〔式中、R1 は炭素数4〜18の直鎖又は分岐鎖アルキル基、直鎖又は分岐鎖アルケニル基、炭素数6〜18のアリール基、炭素数7〜18のアラルキル基を表し、R2 及びR3 はそれぞれ同一であっても又は異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜8の直鎖又は分岐鎖アルキル基又はH-(OR4 )n -基(R4 は炭素数1〜3の直鎖アルキレン基又は炭素数3の分岐鎖アルキレン基を表わし、nは1〜20である)を表わす〕で表わされるアミン化合物及び/又はその塩とエッチング剤と水とを含有する研磨液組成物。
IPC (8件):
C09K 13/00
, B24B 37/00
, B24B 57/02
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, H01L 21/306
FI (8件):
C09K 13/00
, B24B 37/00 H
, B24B 57/02
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
, H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/306 M
Fターム (16件):
3C047FF08
, 3C047FF11
, 3C047FF17
, 3C047GG15
, 3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 5F043AA26
, 5F043BB30
, 5F043DD16
, 5F043DD30
, 5F043FF07
, 5F043GG10
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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