特許
J-GLOBAL ID：200903013341160162
電界効果型トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-262858
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080855
出願日： 2005年09月09日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】 ノーマリオフ型の電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 第1六方晶系(6mm)結晶から構成され、第1六方晶系(6mm)結晶のC軸を面内に含む主面を有する第1窒化物半導体層157と、第1窒化物半導体層157の主面上に形成され、バンドギャップが第1六方晶系(6mm)結晶と異なる第2六方晶系(6mm)結晶から構成された第2窒化物半導体層158と、第2窒化物半導体層158上に形成されたゲート電極154、ソース電極152及びドレイン電極153とを備え、第1窒化物半導体層157の膜厚は、1.5μm以下であり、第2窒化物半導体層158には、1×1013(cm-2)以上のドーズ量で不純物がドーピングされている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1六方晶系(6mm)結晶から構成され、前記第1六方晶系(6mm)結晶のC軸を含む主面を有する第1半導体層と、
前記第1半導体層の主面上に形成され、バンドギャップが前記第1六方晶系(6mm)結晶と異なる第2六方晶系(6mm)結晶から構成された第2半導体層と、
前記第2半導体層上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極とを備え、
前記第1半導体層の膜厚は、1.5μm以下である
ことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102GR04
, 5F102GR07
, 5F102GS01
, 5F102GT01
出願人引用 (1件)
-
窒化物系化合物半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-341825
出願人：シャープ株式会社, 学校法人立命館
審査官引用 (6件)
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