特許
J-GLOBAL ID：200903020325880127
半導体素子、及び半導体素子用基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180113
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374003
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】高効率で駆動することができ、素子機能を十分に向上させた半導体素子を提供する。【解決手段】R面サファイア単結晶、あるいはサファイア単結晶のR面を【外1】軸を中心として回転させてなるオフセット面を有するオフセットサファイア単結晶を基板として用い、前記サファイア単結晶のR面又はオフセット面上に、膜面と平行なC軸を具える六方晶系III族窒化物膜からなる半導体層を形成する。
請求項（抜粋）：
所定の基板と、この基板の主面上方においてエピタキシャル成長され、膜面と平行な方向から10度以内の範囲において、C軸を有する六方晶系III族窒化物膜からなる半導体層とを具えることを特徴とする、半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 29/263
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA14
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA82
