特許
J-GLOBAL ID：200903099393699592
エピタキシャル基板及びそれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-093874
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285869
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】窒化物系半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、半導体の積層構造部が基板上でC軸配向すると、ピエゾ電界により生じる高密度な2次元電子ガスのためデプレッション型となるので、エンハンスメント型の電界効果トランジスタを得るのが困難であった。【解決手段】(01-12)面、または、(01-12)面からのオフアングルαが5°未満となる面を主面とするサファイア基板上に、積層構造部のC軸が半導体成長用基板の主面と平行になるように成長させることにより、ピエゾ電界の影響を低減してエンハンスメント型の電界効果トランジスタを提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
サファイア基板の主面上に窒化物系半導体からなる積層構造部が積層され、該積層構造部が少なくとも窒化ガリウムまたは窒化ガリウムインジウムからなる電子走行層、及び窒化アルミニウムガリウムからなる障壁層を順次積層してなるヘテロ構造を有する電界効果トランジスタ製造用のエピタキシャル基板において、上記サファイア基板の主面が、(01-12)面からの(0001)面方向へのオフアングルαが0°<x≦5°を満たす面であることを特徴とするエピタキシャル基板。
IPC (3件)：
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
5F102GA02
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GL09
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102HC01
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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