特許
J-GLOBAL ID：200903013378333679
GaN系量子ドット構造の製造方法およびその用途
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155841
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354840
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 従来のGaN系量子ドット構造の製造方法に比べて、より工程の簡略化された新たなGaN系量子ドット構造の製造方法を提供し、さらにこれを半導体発光素子の製造方法に応用すること。【解決手段】 GaN系材料からなるベース層Bの上面(ベース面)の表面状態をアンチサーファクタントSによって変化させ、3元以上の組成を有しかつ特定の格子整合性を有するGaN系材料を、気相成長法にて原料ガスaとしてベース面に供給する。これだけで、供給したGaN系材料とは異なる組成比のGaN系材料からなり、ベース面上に分散する量子ドットdと、供給したGaN系材料と同じ組成比のGaN系材料からなり量子ドットdを埋め込んでベース面上に成長するキャップ層Cとが形成され、GaN系量子ドット構造が得られる。
請求項（抜粋）：
GaN系材料からなる結晶層をベース層とし、該ベース層の上面をベース面として、該ベース面の表面状態をアンチサーファクタントによって変化させ、3元以上の組成を有しかつ下記(i)の格子整合性を有するGaN系材料(A)を、気相成長法にてベース面に供給することによって、供給したGaN系材料(A)とは異なる組成比のGaN系材料からなり、ベース面上に分散する量子ドットと、供給したGaN系材料(A)と同じ組成比のGaN系材料からなり、前記量子ドットを埋め込んでベース面上に成長する結晶層とを、形成する工程を有することを特徴とするGaN系量子ドット構造の製造方法。(i)ベース面の表面状態を変化させるような表面処理を施すことなく、該ベース面上にGaN系材料(A)を直接的に結晶成長させたとき、該ベース面上に膜状に結晶成長し得るような、ベース層のGaN系材料に対する格子整合性。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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