特許
J-GLOBAL ID：200903013387292292

配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

発明者：
中村 英博

中村 英博 について

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河添 宏

河添 宏 について

, 
榎本 哲也

榎本 哲也 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052043
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244365
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 端子の微細化及び多端子化を実現して装置の小型化を実現することができ、かつ三次元実装構造を実現することができる配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板1は、接続孔11を有する絶縁性基材10と、接続孔11の表面部分に裏面に達しない範囲で配設された埋込導体12と、埋込導体12に接続された配線層14とを備えている。埋込導体12は、配線層14の膜厚を補い、接続孔11の裏面側において三次元実装構造を構築するための位置決め部110を形成することができる。配線層14は膜厚が薄い端子部14A及び配線部14Bと膜厚が厚い電極部14Cを備え、端子部14A及び配線部14Bの薄膜化と埋込導体12の底上げとは同一製造工程で行われている。配線基板1の電極部14Cには半導体素子2が取り付けられている。
請求項（抜粋）：
表面導体層と、該表面導体層の裏面において、該表面導体層に電気的に接続された複数の埋込導体と、前記表面導体層の裏面に接した第1主表面及び該第1主表面に対向した第2主表面とを有し、前記埋込導体の側壁に接して形成された絶縁性基材とを備えたことを特徴とする配線基板。
IPC (7件)：
H01L 23/12 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/20
FI (7件)：
H05K 1/18 J ,  H05K 3/06 A ,  H05K 3/20 A ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 K ,  H01L 25/08 Z
Fターム (46件)：
5E336AA04 ,  5E336BB02 ,  5E336BC15 ,  5E336BC25 ,  5E336BC28 ,  5E336BC34 ,  5E336CC31 ,  5E336EE01 ,  5E336GG09 ,  5E336GG30 ,  5E339AB02 ,  5E339AC01 ,  5E339AE10 ,  5E339BC02 ,  5E339BD03 ,  5E339BD11 ,  5E339BE13 ,  5E339CC01 ,  5E339CD01 ,  5E339CD05 ,  5E339CE11 ,  5E339CE16 ,  5E339CE19 ,  5E339CF07 ,  5E339CF15 ,  5E339CG01 ,  5E339CG04 ,  5E339DD02 ,  5E343AA02 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343BB02 ,  5E343BB03 ,  5E343BB09 ,  5E343BB17 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB71 ,  5E343DD21 ,  5E343DD57 ,  5E343DD62 ,  5E343ER12 ,  5E343ER18 ,  5E343ER49 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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