特許
J-GLOBAL ID：200903013463421498
極端紫外線露光用マスクおよびそれを用いた半導体集積回路製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-265855
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085223
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】緩衝膜を残すタイプのEUV露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。【解決手段】吸収膜4のパターン欠陥を修正した後、パターン欠陥の水平方向隣にある部分の吸収膜4のパターンの線幅を狭くする。パターン欠陥修正手段として用いる集束イオンビームにより、パターン欠陥が修正された部分の緩衝膜3にはイオンが注入されている。パターン欠陥修正部に隣接する吸収膜4のパターンの線幅を狭くすることにより、反射率を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の片側表面上に形成されたEUV光を反射する多層膜と、
前記多層膜上に形成されたEUV光に対する透明性を有する緩衝膜と、
前記緩衝膜上にパターニングされて形成され、パターニングされずに残存したパターン欠陥部が除去されて生じる修正部に隣接する部分にあるパターンの線幅が、他の部分にあるパターンの線幅より狭くなるように形成された吸収膜と、
を有することを特徴とする極端紫外線露光用マスク。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, G03F 7/20
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
, G03F7/20 521
2H095BA10
, 2H095BC11
, 2H095BC26
, 2H095BD32
, 2H095BD35
, 5F046CB17
, 5F046GD02
, 5F046GD03
, 5F046GD10
, 5F046GD11
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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