特許
J-GLOBAL ID：200903013486494549
電界放出型冷陰極装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-246721
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092301
出願日： 1996年09月18日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】生産性に富み、電界放出特性が均一で且つ低電圧駆動が可能で電界放出効率も高い電界放出型冷陰極装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】電界放出型冷陰極装置は、支持基板12と、支持基板12上に配設された電子を放出するためのエミッタ15とを有する。支持基板12は透明な合成樹脂等から基本的に形成される。エミッタ16は、支持基板12上に配設されたAu等の導電性材料層14の一部を山形に成型することにより形成される。導電性材料層14はカソード配線としての機能も兼ねる。エミッタ16の支持基板12と接合される側には係合凹部15が形成される。これに対して支持基板12には係合凹部15に密着する支持基板凸部13が一体的に形成される。
請求項（抜粋）：
支持基板と、前記支持基板上に配設された電子を放出するためのエミッタとを具備する電界放出型冷陰極装置の製造方法において、先端に向かって収束する形状をなす凸部をマスタ基板上に形成する工程と、前記凸部を挟むように、前記マスタ基板上にモールド基板を形成することにより、前記モールド基板に前記凸部の型を取った凹部を形成する工程と、前記モールド基板から前記マスタ基板を分離することにより、前記モールド基板の前記凹部を露出させる工程と、前記凹部内に前記エミッタの材料を充填することにより、前記モールド基板上に前記凹部の型を取った前記エミッタを形成する工程と、前記エミッタと接合するように、前記モールド基板上に前記支持基板を形成する工程と、前記支持基板及び前記エミッタから前記モールド基板を分離する工程と、を具備することを特徴とする電界放出型冷陰極装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
