特許
J-GLOBAL ID：200903013582145938
パターン形成方法、これに使用されるマスク及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-294981
公開番号（公開出願番号）：特開平10-142767
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 ハーフトーン形位相反転マスクを用いて半導体基板にパターンを形成するパターン形成方法と、これに使用されるマスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に、パタニングされる被蝕刻層を形成する段階と、前記被蝕刻層上に反射防止層50を形成する段階と、前記反射防止層50上に感光膜22を形成する段階と、マスクを用いて写真蝕刻を行う段階とを含む。従って、段差部位での乱反射にによるサイドーローブ現象が防止でき、信頼性のあるパターンを形成しうる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、パタニングされる被蝕刻層を形成する段階と、前記被蝕刻層上に反射防止層を形成する段階と、前記反射防止層上に感光膜を形成する段階と、マスクを用いて写真蝕刻を行う段階とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/11 503
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/11 503
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 574
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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