半導体発光素子およびこれを用いた照明装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-209746
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027539
出願日： 2005年07月20日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】反射電極でマイグレーションが発生しても、反射電極の漏れを確実に防止することで、高い信頼性を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板2にn型半導体層3が積層され、n型半導体層3にボンディング用のn電極4と発光体層5とが積層され、発光体層5にp型半導体層6と、コンタクト電極7と、光反射性を有する反射電極8とが順次積層され、そして反射電極8にボンディング用のp電極9が積層された半導体発光素子において、反射電極8は、外形がコンタクト電極7より小さく形成されるとともに、その周囲がコンタクト電極7の接合領域Sとなるように配置され、p電極9は、反射電極8の全面および側面を覆いつつ接合領域Sと接続するように設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に、n型半導体層と、発光体層と、p型半導体層と、コンタクト電極と、反射電極と、p電極とが順次積層された半導体発光素子において、前記反射電極は、外形が前記コンタクト電極より小さく形成されるとともに、その周囲が前記コンタクト電極の接合領域となるように配置され、前記p電極は、前記反射電極の全面および側面を覆いつつ前記接合領域と接続するように設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (16件)：

5F041AA43 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA94 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA13 , 5F041DA19 , 5F041DA33 , 5F041DA34 , 5F041DA77 , 5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (2件)

III族窒化物系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056357 出願人：豊田合成株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-225268 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (8件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-277959 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-365792 出願人：日立電線株式会社
窒化物系発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-371533 出願人：三星電子株式会社, 光州科學技術院

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