特許
J-GLOBAL ID：200903013608009086
化合物半導体エピタキシャルウェハ及びHEMT
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-148618
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326345
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 最適なバッファ層を有する化合物半導体エピタキシャルウェハ及びHEMTを提供する。【解決手段】 上側バッファ層4のAlGaAs層の厚さを50〜300nmの範囲内にし、p濃度を5E14〜5E16cm-3の範囲内にし、かつAl組成を0.2より大きく0.4以下の範囲内にすることにより、上側バッファ層4のバンドエネルギーを持ち上げることができ、バッファ層4側へのリーク電流を減らすことができる。この結果、最適なバッファ層を有する化合物半導体エピタキシャルウェハ及びHEMTが得られる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、バッファ層、AlGaAsからなる下側電子供給層、GaAsもしくはInGaAsからなる電子走行層、AlGaAsからなる上側電子供給層及びAlGaAsからなるショットキー層が順次形成されたダブルヘテロダブルドープHEMT構造の化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記下側電子供給層の直下のバッファ層は、上記下側電子供給層のAl組成以上のAlGaAsバッファ層であり、該AlGaAsバッファ層の厚さが50〜300nmの範囲内にあり、p濃度が5E14〜5E16cm-3の範囲内にあり、かつAl組成が0.2より大きく0.4以下の範囲内にあることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA00
, 5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GK06
, 5F102GL04
, 5F102GL05
, 5F102GM06
, 5F102GQ04
, 5F102HC01
