特許
J-GLOBAL ID：200903013626725082

電子電界放出カソードを使用するX線発生機構

発明者：
ゾウ, オットー, ゼット.

ゾウ, オットー, ゼット. について

, 
ル, ジアンピング

ル, ジアンピング について


出願人/特許権者：
ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ - チャペル ヒル

ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ - チャペル ヒル について


代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-535152
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511884
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
X線発生装置は、少なくとも4A/cm2の放出電子流密度を有するナノ構造(1110)含有材料から少なくとも一部が形成されている電界放出カソードを含む。カソード(1110)と、ゲート又はアノード(1130)との間で冷カソード放出電子を集束することが容易であり、かつ異なるアノード材料(1130)で電子ビームを集束するために、高いエネルギー変換効率及びコンパクトな構造(1100)が実現され、エネルギーの異なるパルスX線放射を1つの装置から発生させることが可能である。
請求項（抜粋）：
チャンバと、 4A/cm2を超える放出電子流密度を持つナノ構造含有材料を含む電界放出カソードと、 アノードターゲットと、 前記カソードと前記アノードターゲットとの間に印加される電位により発生する加速電界と を有することを特徴とするX線発生装置。
IPC (7件)：
H01J35/06 ,  A61B6/00 ,  A61B6/03 ,  G21K5/02 ,  G21K5/08 ,  H01J35/08 ,  H05G1/00
FI (9件)：
H01J35/06 B ,  H01J35/06 A ,  A61B6/00 300B ,  A61B6/00 333 ,  A61B6/03 373 ,  G21K5/02 X ,  G21K5/08 X ,  H01J35/08 A ,  H05G1/00 D
Fターム (19件)：
4C092AA01 ,  4C092AB21 ,  4C092AB23 ,  4C092AC01 ,  4C092BD04 ,  4C092BD05 ,  4C092CD02 ,  4C092CD03 ,  4C092CE02 ,  4C092CE06 ,  4C092CE07 ,  4C093AA16 ,  4C093AA22 ,  4C093AA24 ,  4C093CA04 ,  4C093CA32 ,  4C093EA02 ,  4C093EA07 ,  4C093FF34
引用特許：
審査官引用 (18件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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