特許
J-GLOBAL ID:200903013725262647
電子デバイス用ガラス基板の製造方法及びマスクブランクスの製造方法並びに転写マスクの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大塚 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-301615
公開番号(公開出願番号):特開2005-066781
出願日: 2003年08月26日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低い電子デバイス用ガラス基板及びマスクブランクスの製造方法、並びに基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が起因する位相欠陥やパターン欠陥のない転写マスクの製造方法を提供する。【解決手段】研磨パッド7を貼着した研磨定盤5,6を電子デバイス用ガラス基板に押付け、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨定盤5,6と上記ガラス基板とを相対的に移動させて基板表面の精密研磨をすることにより、電子デバイス用ガラス基板を製造する。精密研磨に使用する上記研磨パッド7は、基材と表面に微細な開口を有するナップ層とを有し、該ナップ層の厚さが700μm以上である。また、該研磨パッドの硬度(Asker-C)が65以下である。こうして製造されたガラス基板を用いて、マスクブランクス及び転写マスクを製造する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
研磨パッドを貼着した研磨定盤に電子デバイス用ガラス基板を押付け、研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板の表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、
前記研磨パッドは、表面に微細な開口を有するナップ層を有し、前記ナップ層の厚さが700μm以上であることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
IPC (3件):
B24B37/00
, G03F1/14
, H01L21/027
FI (3件):
B24B37/00 C
, G03F1/14 A
, H01L21/30 502P
Fターム (7件):
2H095BA01
, 2H095BC26
, 3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CA01
, 3C058CA06
, 3C058CB02
引用特許:
出願人引用 (2件)
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特開昭64-40267号公報
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半導体ウェーハの研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-247829
出願人:信越半導体株式会社
審査官引用 (4件)