特許
J-GLOBAL ID：200903014117742845

積層型圧電セラミックス素子及びその製造方法

発明者：
井上 崇行

井上 崇行 について


出願人/特許権者：
NECトーキン株式会社

NECトーキン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-371754
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136260
出願日： 2003年10月31日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 卑金属内部電極を使用し、層間剥離がなく、圧電特性が良好で、かつ焼結の雰囲気の調整が容易な、安価な積層型圧電セラミックス素子及びその製造方法を実現すること。【解決手段】 前記導電ペーストに含まれるCu粉末31の表面に、PbO、Bi2O3、SiO2、GeO2、Li2CO3、ZnO、B2O3、BaO、SrO、CaO、CuO、Agのうち少なくとも1種類以上からなる低融点の無機薄膜層32を形成したことを特徴とし、温度が950°Cでは酸素分圧1.01×103から1.01×102Pa、1050°Cでは、酸素分圧7.07×10-2から2.02×10-1Paの範囲の雰囲気で焼結することを特徴とする積層型圧電セラミックス素子及びその製造方法。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
圧電セラミックス層と内部電極層とを複数、交互に積層して一体化した積層体で、前記内部電極層の表面露出部に内部電極と電気的に接続する外部電極を形成した積層型圧電セラミックス素子において、前記内部電極はCuを主成分とし、Ni、Ir、Pd、Pt、Rhのうち少なくとも1種類の金属を0.5重量%以上、10重量%以下、含有していることを特徴とする積層型圧電セラミックス素子。
IPC (4件)：
H01L41/22 ,  C04B35/49 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187
FI (4件)：
H01L41/22 Z ,  C04B35/49 T ,  H01L41/08 S ,  H01L41/18 101F
Fターム (25件)：
4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA23 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA27 ,  4G031AA28 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031AA39 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA07 ,  4G031CA08 ,  4G031GA02 ,  4G031GA07 ,  4G031GA08 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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